Tóm tắt nội dung
Việc bắt đầu sản xuất số lượng lớn các bóng bán dẫn hiệu ứng trường có kích thước đặc trưng dưới 100 nm vào cuối thế kỷ 20 báo hiệu sự chuyển đổi từ vi điện tử sang điện tử nano. Kể từ đó, việc thu hẹp quy mô trong ngành bán dẫn vẫn tiếp tục cho đến khi có sự phát triển gần đây của công nghệ dưới 10 nm. Các hiện tượng và vấn đề mới cũng như những thách thức công nghệ trong việc chế tạo và thao tác ở cấp độ nano đã thúc đẩy hoạt động nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết mạnh mẽ. Cấu trúc thiết bị mới, nguyên lý hoạt động, vật liệu và kỹ thuật đo lường mới đã xuất hiện và các phương pháp tiếp cận mới về vận chuyển điện tử và mô hình hóa thiết bị đã trở nên cần thiết. Ví dụ như việc giới thiệu các MOSFET dọc bên cạnh các MOSFET phẳng để cho phép tiếp cận nhiều cổng cũng như phát triển đường hầm mới, độ linh động điện tử cao và các thiết bị điện tử đơn. Việc tìm kiếm các vật liệu mới như dây nano, ống nano và vật liệu 2D cho kênh bóng bán dẫn, chất điện môi và các kết nối là một phần của quá trình này. Các thiết bị điện tử mới, thường bao gồm các dị vòng có kích thước nano, đã được phát triển để phát xạ, truyền và phát hiện ánh sáng trong các hệ thống quang điện tử và quang tử, cũng như cho các cảm biến hóa học, sinh học và môi trường mới. Số đặc biệt này tập trung vào thiết kế, chế tạo, mô hình hóa và trình diễn các thiết bị nano cho các ứng dụng điện tử, quang điện tử và cảm biến.
Abstract:
The start of high-volume production of field-effect transistors with a feature size below 100 nm at the end of the 20th century signaled the transition from microelectronics to nanoelectronics. Since then, downscaling in the semiconductor industry has continued until the recent development of sub-10 nm technologies. The new phenomena and issues as well as the technological challenges of the fabrication and manipulation at the nanoscale have spurred an intense theoretical and experimental research activity. New device structures, operating principles, materials, and measurement techniques have emerged, and new approaches to electronic transport and device modeling have become necessary. Examples are the introduction of vertical MOSFETs in addition to the planar ones to enable the multi-gate approach as well as the development of new tunneling, high-electron mobility, and single-electron devices. The search for new materials such as nanowires, nanotubes, and 2D materials for the transistor channel, dielectrics, and interconnects has been part of the process. New electronic devices, often consisting of nanoscale heterojunctions, have been developed for light emission, transmission, and detection in optoelectronic and photonic systems, as well for new chemical, biological, and environmental sensors. This Special Issue focuses on the design, fabrication, modeling, and demonstration of nanodevices for electronic, optoelectronic, and sensing applications.
Sử dụng ứng dụng Libol Bookworm quét QRCode này để mượn và đọc tài liệu)
(Lưu ý: Sử dụng ứng dụng Bookworm để xem đầy đủ tài liệu. Bạn đọc có thể tải Bookworm từ App Store hoặc Google play với từ khóa "Libol Bookworm”)