Cuốn sách này trình bày sự phát triển của bộ khuếch đại công suất cho LTE ở ranh giới của công nghệ CMOS phẳng. Nó bao gồm các khái niệm thiết kế lý thuyết, mô phỏng và đo lường cho bộ khuếch đại công suất dựa trên các thông số kỹ thuật đường lên cho truyền thông di động do 3GPP định nghĩa. Nó chứng minh khả năng cơ bản của công nghệ CMOS để tích hợp hoàn toàn trên SoC. Các lớp khuếch đại công suất khác nhau và các khái niệm tuyến tính hóa được tóm tắt và so sánh. Trọng tâm đặc biệt được dành cho một số bộ khuếch đại công suất mức watt đã được công bố cũng như các DPA đã được triển khai. Những cân nhắc cơ bản này là nền tảng cho các thiết kế được triển khai sau này. Một bộ khuếch đại công suất tuyến tính độc lập đã được phát triển và đặc trưng hóa dưới dạng một chip trần trên PCB. DPA được tích hợp vào bộ thu phát LTE, điều này cho phép xác minh toàn bộ hệ thống trên chip. Hình ảnh chip của PA tuyến tính và DPA cho thấy kiến ​​trúc của chúng, được triển khai trên chip bằng công nghệ CMOS 28nm, từ góc nhìn lớp kim loại trên cùng.

Abstract:

This book shows the development of a power amplifier for LTE at the edge of planar CMOS technology. It includes theoretical design concepts, simulations and measurements for a power amplifier based on uplink specifications for mobile communication defined by 3GPP. It proofs the basic capability of CMOS technology for a full integration on a SoC. Different power amplifier classes and linearization concepts are summarized and compared. A special focus is given on a selection of published watt-level power amplifiers as well as implemented DPAs. These basic considerations were the foundation for the later implemented designs. A stand-alone linear power amplifier was developed and characterized as a bare bumped die on a PCB. The DPA was integrated into an LTE transceiver what gave the possibility of on-chip verification of the entire system. Die pictures of the linear PA and the DPA show their architectures, which are implemented on-chip in 28nm CMOS technology, from the top metal layer perspective.

Ngôn ngữ:	eng
Tác giả:	Fuhrmann, Jörg
Thông tin nhan đề:	A Digital Power Amplifier in 28 nm CMOS for LTE Applications
Nhà xuất bản:	FAU University Press
Loại hình:	Tài nguyên giáo dục mở / Bộ sưu tập: Điện tử - Viễn thông
Bản quyền:	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
Nguồn gốc:	https://library.oapen.org/handle/20.500.12657/109134
Mô tả vật lý:	159tr
Năm xuất bản:	2017