Silicon Carbide (SiC) và các polytype của nó, được sử dụng chủ yếu để mài và gốm sứ nhiệt độ cao, đã là một phần của nền văn minh nhân loại trong một thời gian dài. Khả năng vốn có của các thiết bị SiC hoạt động với hiệu suất cao hơn và ít tác động đến môi trường hơn so với các thiết bị dựa trên silicon ở nhiệt độ cao và dưới điện áp cao đã đẩy SiC đến bờ vực trở thành vật liệu được lựa chọn cho các thiết bị điện tử và quang điện tử công suất cao. Điều quan trọng hơn, SiC đang nổi lên để trở thành khuôn mẫu cho chế tạo graphene và là vật liệu cho thế hệ thiết bị bán dẫn dưới 32nm tiếp theo. Do đó, ngày càng rõ ràng rằng các hệ thống điện tử SiC sẽ thống trị các công nghệ năng lượng và vận tải mới của thế kỷ 21. Trong 21 chương của cuốn sách, người ta đặc biệt nhấn mạnh vào khía cạnh “vật liệu” và sự phát triển của chúng. Vì mục đích đó, khoảng 70% cuốn sách đề cập đến lý thuyết, sự phát triển tinh thể, các khuyết tật, tính chất bề mặt và giao diện, đặc tính và các vấn đề xử lý liên quan đến SiC. 30% còn lại của cuốn sách đề cập đến các khía cạnh thiết bị điện tử của tài liệu này. Nhìn chung, cuốn sách này sẽ có giá trị làm tài liệu tham khảo cho các nhà nghiên cứu SiC trong vài năm tới. Cuốn sách này trình bày một cách uy tín những hiểu biết hiện tại của chúng ta về SiC như một vật liệu bán dẫn trong điện tử. Đối tượng chính của cuốn sách bao gồm sinh viên, nhà nghiên cứu, kỹ sư vật liệu và hóa học, nhà sản xuất chất bán dẫn và các chuyên gia quan tâm đến cacbua silic và sự phát triển liên tục của nó.

Abstract:

Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge of becoming the material of choice for high power electronics and optoelectronics. What is more important, SiC is emerging to become a template for graphene fabrication, and a material for the next generation of sub-32nm semiconductor devices. It is thus increasingly clear that SiC electronic systems will dominate the new energy and transport technologies of the 21st century. In 21 chapters of the book, special emphasis has been placed on the “materials” aspects and developments thereof. To that end, about 70% of the book addresses the theory, crystal growth, defects, surface and interface properties, characterization, and processing issues pertaining to SiC. The remaining 30% of the book covers the electronic device aspects of this material. Overall, this book will be valuable as a reference for SiC researchers for a few years to come. This book prestigiously covers our current understanding of SiC as a semiconductor material in electronics. The primary target for the book includes students, researchers, material and chemical engineers, semiconductor manufacturers and professionals who are interested in silicon carbide and its continuing progression.

Ngôn ngữ:	En
Tác giả:	Moumita Mukherjee
Thông tin nhan đề:	Silicon Carbide: Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
Nhà xuất bản:	IntechOpen
Loại hình:	Tài nguyên giáo dục mở / Bộ sưu tập: Điện tử - Viễn thông
Bản quyền:	https://creativecommons.org/share-your-work/use-remix/cc-licenses/#by
Nguồn gốc:	https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/129052
Mô tả vật lý:	562p.
Năm xuất bản:	2019