Cuốn sách này tập trung vào những phát triển gần đây trong MOSFET kỹ thuật ứng suất được triển khai trong các chất nền có tính di động cao như Ge, SiGe, Si ứng suất, nền tảng germani siêu mỏng trên chất cách điện, kết hợp với chất cách điện k cao và cổng kim loại. Cuốn sách này đề cập đến các khía cạnh vật liệu, nguyên lý và thiết kế các thiết bị tiên tiến, chế tạo và ứng dụng. Cuốn sách cũng trình bày phương pháp thiết kế hỗ trợ máy tính (TCAD) công nghệ đầy đủ cho kỹ thuật ứng suất trong công nghệ Si-CMOS liên quan đến luồng dữ liệu từ mô phỏng quy trình đến mô phỏng biến thiên quy trình thông qua mô phỏng thiết bị và tạo ra các mô hình quy trình nhỏ gọn SPICE để sản xuất nhằm tối ưu hóa năng suất. Chế tạo vi điện tử đang phải đối mặt với những thách thức nghiêm trọng do sự ra đời của các vật liệu mới trong sản xuất và những hạn chế cơ bản của các thiết bị nano dẫn đến tính không thể đoán trước ngày càng tăng trong các đặc tính của thiết bị. Việc thu hẹp quy mô của các công nghệ CMOS đã dẫn đến sự gia tăng tính biến thiên của các thông số chính ảnh hưởng đến hiệu suất của mạch tích hợp. Cuốn sách này cung cấp một văn bản duy nhất kết hợp phạm vi bao phủ của MOSFET kỹ thuật ứng suất và mô hình hóa chúng bằng TCAD, biến nó thành một công cụ để phát triển công nghệ quy trình và thiết kế MOSFET kỹ thuật ứng suất.

Abstract:

This book focuses on recent developments in stress engineering MOSFETs implemented in high mobility substrates such as Ge, SiGe, stress Si, ultra-thin germanium on insulator substrates, combined with high k insulators and metal gates. This book covers the materials, principles and design aspects of advanced devices, fabrication and applications. The book also presents a full technology computer-aided design (TCAD) methodology for stress engineering in Si-CMOS technology involving data flow from process simulation to process variation simulation through device simulation and generation of compact SPICE process models for manufacturing to optimize yield. Microelectronics manufacturing is facing serious challenges due to the advent of new materials in manufacturing and the fundamental limitations of nanoscale devices leading to increasing unpredictability in device characteristics. The downsizing of CMOS technologies has led to increased variability in key parameters affecting the performance of integrated circuits. This book provides a single text that combines coverage of stress-engineered MOSFETs and their modeling using TCAD, making it a tool for process technology development and stress-engineered MOSFET design.

Ngôn ngữ:	eng
Tác giả:	Maiti, C.K., Maiti, T.K.
Thông tin nhan đề:	Strain-Engineered MOSFETs
Nhà xuất bản:	Taylor & Francis
Loại hình:	Tài nguyên giáo dục mở / Bộ sưu tập: Điện
Bản quyền:	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Nguồn gốc:	https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/159256
Mô tả vật lý:	320p.
Năm xuất bản:	2018