Trình bày các mô hình tiêu chuẩn công nghiệp cho bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực (BJT), bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại (MOS), FinFET và bóng bán dẫn hiệu ứng trường đường hầm (TFET), cùng với các mô hình MOS thống kê. Thảo luận vấn đề chính về tính biến đổi của quy trình, ảnh hưởng nghiêm trọng đến hiệu suất của thiết bị và mạch trong các công nghệ tiên tiến và yêu cầu các mô hình thống kê nhỏ gọn. Thúc đẩy nghiên cứu sâu hơn về sự phát triển và phát triển của các mô hình nhỏ gọn để thiết kế và phân tích mạch VLSI. Cung cấp kiến ​​thức cơ bản và thực tiễn cần thiết cho thiết kế mạch tích hợp (IC) hiệu quả sử dụng các thiết bị có kích thước nano. Bao gồm các bài tập ở cuối mỗi chương và tài liệu tham khảo mở rộng ở cuối sách

Abstract:

Presents industry standard models for bipolar-junction transistors (BJTs), metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect-transistors (FETs), FinFETs, and tunnel field-effect transistors (TFETs), along with statistical MOS models. Discusses the major issue of process variability, which severely impacts device and circuit performance in advanced technologies and requires statistical compact models. Promotes further research of the evolution and development of compact models for VLSI circuit design and analysis. Supplies fundamental and practical knowledge necessary for efficient integrated circuit (IC) design using nanoscale devices. Includes exercise problems at the end of each chapter and extensive references at the end of the book

Ngôn ngữ:	En
Tác giả:	Samar K. Saha
Thông tin nhan đề:	Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond
Nhà xuất bản:	Taylor & Francis
Loại hình:	Tài nguyên giáo dục mở / Bộ sưu tập: Điện
Bản quyền:	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Nguồn gốc:	https://doi.org/10.1201/b19117
Mô tả vật lý:	545p.
Năm xuất bản:	2017