Với việc các thiết bị SiC và GaN ngày càng được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực điện tử công suất, yêu cầu đặt ra là các thiết bị này phải đạt được hiệu suất vượt trội. Do đó, các vấn đề như thiết kế thiết bị, phương pháp điều khiển, cũng như việc mở rộng phạm vi ứng dụng của chúng đang trở thành những chủ đề nghiên cứu đầy thu hút. Ấn phẩm đặc biệt này nhằm giới thiệu các tiến bộ nghiên cứu trong việc ứng dụng các thiết bị bán dẫn vùng cấm rộng (wide-bandgap), bao gồm các cấu trúc thiết bị mới, các cấu trúc mạch (topology) tiên tiến giúp tối ưu hóa hiệu suất, và các ứng dụng mạch tích hợp sử dụng vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng. Ấn phẩm bao gồm các bài báo nghiên cứu gốc và các bài tổng quan, tập trung vào những lĩnh vực sau: bộ chuyển đổi DC/DC hiệu suất cao dựa trên SiC MOSFET cho xe điện (EV); bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao dựa trên SiC cho các hệ thống truyền tải điện một chiều điện áp cao (HVDC); bộ chuyển đổi AC/DC dựa trên SiC cho các trạm sạc xe điện; các bộ chuyển đổi công suất có mật độ công suất cao dựa trên thiết bị GaN; mạch tích hợp sử dụng vật liệu SiC cho các môi trường vận hành khắc nghiệt; và mạch tích hợp sử dụng vật liệu GaN cho các ứng dụng tần số cao.

Abstract:

As SiC and GaN devices are increasingly being applied in power electronics, the excellent performance of these devices is required. Therefore, how to design the devices, how to drive them, and what other fields these devices can be applied in are attractive research issues. This Special Issue aims to exhibit the research progress of the application of wide-bandgap semiconductor devices, including the novel structures of devices, new topology of circuits for the high performance of wide-bandgap devices, and integrated circuit application of wide-bandgap semiconductors. In this Special Issue, original research articles and reviews are presented. Research areas are the following: high-efficiency SiC MOSFET-based DC/DC converters for EV applications, high-voltage SiC-based DC/DC converters for HVDC applications, SiC-based AC/DC for EV charging station applications, high-power density power converters based on GaN devices, integrated circuits based on SiC material for harsh environment applications, and integrated circuits based on GaN material for high-frequency applications.

Ngôn ngữ:	eng
Tác giả:	Zhang, Yimeng (editor), Sun, Lejia (editor), Zhang, Yuming (editor)
Thông tin nhan đề:	Wide-Bandgap Device Application: Devices, Circuits, and Drivers
Nhà xuất bản:	MDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute
Loại hình:	Tài nguyên giáo dục mở / Bộ sưu tập: Điện tử - Viễn thông
Bản quyền:	https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Nguồn gốc:	https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/165132
Mô tả vật lý:	204p.
Năm xuất bản:	2025