Advances in Porous Semiconductor Research

Loại tài liệu: Tài liệu số - Tài nguyên giáo dục mở / Bộ sưu tập: Kỹ thuật hóa học

Tác giả: Djenizian, Thierry (editor), Hans Voelcker, Nicolas (editor)

Nhà xuất bản: Frontiers Media SA

Năm xuất bản: 2020

Tải ứng dụng tại các liên kết sau để xem đầy đủ tài liệu.

Tóm tắt nội dung

Kể từ khi L. Canham phát hiện ra tính chất phát quang của silicon xốp vào năm 1990, quy trình anod hóa đã thu hút sự quan tâm rất lớn trong việc chế tạo chất bán dẫn xốp. Cho đến nay, kỹ thuật này đã được sử dụng rộng rãi để thiết kế các vật liệu mới với các tính chất lý hóa tiên tiến cho nhiều ứng dụng trong quang học, vi điện tử, năng lượng, sinh học và y học.

Abstract:

Since the discovery of the luminescent properties of porous Si by L. Canham in 1990, the anodization process has attracted enormous interest for the fabrication of porous semiconductors. To date, this technique has been widely used to design new materials with advanced physico-chemical properties for many applications in optics, microelectronics, energy, biology and medicine.

Ngôn ngữ:eng
Tác giả:Djenizian, Thierry (editor), Hans Voelcker, Nicolas (editor)
Thông tin nhan đề:Advances in Porous Semiconductor Research
Nhà xuất bản:Frontiers Media SA
Loại hình:Tài nguyên giáo dục mở / Bộ sưu tập: Kỹ thuật hóa học
Bản quyền:https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Nguồn gốc:https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/73791
Mô tả vật lý:183p.
Năm xuất bản:2020

Sử dụng ứng dụng Libol Bookworm quét QRCode này để mượn và đọc tài liệu)

(Lưu ý: Sử dụng ứng dụng Bookworm để xem đầy đủ tài liệu. Bạn đọc có thể tải Bookworm từ App Store hoặc Google play với từ khóa "Libol Bookworm”)